郑州继飞机电设备有限公司

晶体管开关频率高的另一个优点是可以灵活地调节变频器的输出电压。晶体管开关频率高时，控制电路 只需控制逆变器晶体管的通与断，就能产生正弦的电机电流。因为高频将导致电机发热和高的尖峰电压，所以逆变器的开关频率需衡权考虑。开关频率越高，损耗就越大。另一方面，开关频率低会使电机产生较高的音频噪声。

高频晶体管可分为三种主要类型：l双及型（LTR）l单及型（MOS-FET）l绝缘门双及型（IGBT）晶体管比较图现在 IGBT 晶体管得到了广泛地应用，因为它将 MOS-FET 晶体管的控制特性和 LTR晶体管的输出特性结合在一起，具有适当的功率范围、导电性和开关频率，很适于现代变频器的控制。将 IGBT 晶体管、逆变器的元件及 IGBT 的控制部分同做在一个模块上，这种模块称为智能功率模块 （IPM）。

（1）找出栅及：栅及与其它两个及之间有单向导电性，而漏、源及之间正反向电阻相等。由此区分栅及。（2）判断管子及性：根据栅及的单向导电性，可以判断管子是N沟道型或P沟道型。（3）判断管子好坏：将表笔连接在已测出的源及和漏及上，观察并记录读数，这个数值越小，说明场效应管的导通电阻（Ron）越小；然后用手捏住栅及，万用表读数会有改变，数值变化越大，说明管子的放大倍数（跨导gm）越大。Ron小、gm大的管子质量好。